10.25445/SFEDU.12948680
Татьяна Николаевна Мясоедова
Татьяна Сергеевна Михайлова
Михаил Николаевич Григорьев
Способ электрохимического осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки
Способ электрохимического
осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки, включающий
электрохимическое осаждение кремний-углеродных пленок из органического кремний-
и углеродсодержащего электролита, состоящего из гексаметилдисилазана в
метиловом или этиловом спирте, на подложку, расположенную на катоде, на который
относительно анода подают напряжение до 600 В с плотностью тока до 70 мА/см2,
при этом устанавливают расстояние между катодом и анодом до 1 см и получают
кремний-углеродную пленку, имеющую фазу карбида кремния SiС, отличающийся тем,
что на диэлектрической подложке из слоя электропроводящего материала формируют
топологию в виде набора электропроводящих площадок различной геометрической
формы с зазором между ними до 200 мкм, в котором происходит осаждение
кремний-углеродных пленок и их непосредственный контакт с поверхностью
диэлектрической подложки, при этом формируют структуру типа «кремний-углеродная
пленка - диэлектрик».<div><br></div><div><p>Изобретение относится к области технологий получения
кремний-углеродных пленок, с помощью гальванических процессов, на
диэлектрических материалах и может быть использовано для производства устройств
газовой сенсорики, автоэмиссионных электродов и электродов суперконденсаторов.
Способ включает электрохимическое осаждение кремний-углеродных пленок из
органического кремний- и углеродсодержащего электролита, состоящего из гексаметилдисилазана
в метиловом или этиловом спирте, на подложку, расположенную на катоде, на
который относительно анода подают напряжение до 600 В с плотностью тока до 70
мА/см<sup>2</sup>, при этом устанавливают расстояние между катодом и анодом до
1 см и получают кремний-углеродную пленку, имеющую фазу карбида кремния SiС,
при этом на диэлектрической подложке из слоя электропроводящего материала
формируют топологию в виде набора электропроводящих площадок различной
геометрической формы с зазором между ними до 200 мкм, в котором происходит
осаждение кремний-углеродных пленок и их непосредственный контакт с
поверхностью диэлектрической подложки, при этом формируют структуру типа
«кремний-углеродная пленка - диэлектрик». Полученные пленки обладают
химической, механической и температурной стойкостью, толщина пленок зависит от
времени осаждения и объема электролита. Данный метод технически прост, для его
реализации не требуется сложное технологическое оборудование и
высококвалифицированный персонал.</p>
<p>Может быть использовано для производства устройств
газовой сенсорики, автоэмиссионных электродов и электродов суперконденсаторов.</p>
Пленочные
кремний - углеродные структуры, содержащие фазы карбида, различные фазы
углерода, являются весьма перспективными для применения их в самых различных
микроэлектронных устройствах, что обуславливает высокую актуальность работ
направленных на разработку способов получения кремний-углеродных пленок на
различных материалах.<br></div>
109999 Technology not elsewhere classified
39999 Chemical Sciences not elsewhere classified
Южный федеральный университет
2020
2020-09-12
2020-09-12
Standard
533646 Bytes
CC BY 4.0